ساخت و بررسی خواص مغناطیسی و دی الکتریکی نانوذرات هگزافریت استرانسیوم نوع m

در این مقاله، نانوذرات هگزافریت استرانسیوم نوع m (srfe12o19) به روش سل- ژل احتراقی تهیه شدند. برای به­دست آوردن دمای پخت بهینه، از آنالیز توزین گرمایی (dta/tg) استفاده شد. براساس نتایج به­دست آمده از این آنالیز، ژل خشک پودری هگزافریت استرانسیوم در دماهای c°750 تا c°1050 و در زمان­های پخت 4 تا 7 ساعت پخت صورت گرفت. خواص ساختاری و ریخت­شناسی نمونه­ها به وسیله­ی طیف پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف فروسرخ- تبدیل فوریه (ft- ir) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شدند.  همچنین خواص مغناطیسی و دی­الکتریک نمونه­ها، به وسیله­ی مغناطیس ارتعاشی (vsm) و دستگاه lcr متر، در دمای اتاق اندازه­گیری شدند. نتایج حاصل از اندازه­گیری­های مغناطیسی نمونه­ها نشان می­دهد که در پذیرفتاری مغناطیسی هر نمونه، تنها یک قله وجود داشت که با نتایج به دست آمده از الگوی پراش پرتو ایکس نمونه­ها، مبنی بر تک­فاز بودن نمونه­ها همخوانی داشت. همچنین اندازه­گیری­های دی­الکتریکی نمونه­ها نشان می­دهد که با افزایش بسامد، ثابت دی­الکتریک و اتلاف دی­الکتریک نمونه­ها کاهش می­یابد. که این روند کاهش نشان دهنده­ی رفتار طبیعی فریت­هاست. نتایج xrd  نشان داد که نمونه­ی با دما و زمان پخت حدود c°950 و 4 ساعت تک­فاز است. طیف ft- ir نشان داد که وجود قله­های جذبی در گستره­ی  cm-1580 -560  و  cm-1470 -430 در همه­ی نمونه­ها، به­ترتیب بیانگر تشکیل خوشه­های چهاروجهی و هشت­وجهی اکسیدهای فلزی در فریت­ها هستند. همچنین اندازه­ی نانوذرات بر اساس تصاویر sem در حدود 70 نانومتر است.